新型金属封装技术特点研究
时间：2011-06-15 15:28 作者：特封电子科技有限公司 点击：次
近年来出现的以金属作为基板或整体外壳的四边封装技术，就是为了解决上述问题而发展起来的1种高导热且具有优异.
近年来出现的以金属作为基板或整体外壳的四边封装技术，就是为了解决上述问题而发展起来的1种高导热且具有优异 电性能的新型高密度封装技术。这方面工作，美国和日本处于地位，我国目前也正在进 行研究。这种技术对于高密度大功率电子产品的是非常关键的，对于提高我国微电子封 装水平也具有切实的意义。在我们的研究中，通称这种金属做基板或整个外壳的四边封装为金属外壳封装。下文介绍了这种金属外壳封装的性能特点，并用研制的阳极化铝样品作为基板，进行了初步设计分析。
随着当今微电子产品朝着、超小型化、多功能的方向发展，器件功率增大，封装体的散热特性已成为选择合适的封装技术的一个重要因素。普遍用于各种集成电路封装中的PQFP(塑料四边扁平封装)和Cequad(陶瓷四边封装)技术，在自然空气中，若没有外部散热装置，热量散失大约为1～2W，而像高速大功率微处理器、ASIC及信号处理器，一般都要求2～10W的功率散失［1］。这样，这些封装技术的使用 就受到了限制。另外，它们在电性能方面也表现了高电感性，因此限定于应用到低频、低转 换速度器件上，通常在300Hz以下，难以满足高速大功率器件的要求。为此需要一种更加可 靠、散热的封装技术。
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